近期，国星光电（002449）10项发明专利获国家知识产权局授权，覆盖Mini/Micro LED直显与背光、智能感测、深紫外LED等前沿应用领域，为公司持续提升核心竞争力、保持产业优势提供有力支撑。
Mini/Micro LED
领域
在Mini/Micro LED领域获得6项国家发明专利授权，分别为：
▋《一种发光模组》《一种芯片阵列及发光模组》和《一种LED模组的制备方法及LED模组》涉及数字化大灯Micro LED光源的封装形式与制备工艺，解决了LED模组串光和胶水挂壁的问题，提高了出光光效和生产效率。
▋《一种LED显示器件及LED显示器件的制作方法》通过在LED显示器件中采用矩形阵列排布的胶体单元和分隔槽结构，优化器件在像素串光、出光色彩及黑屏外观一致性等方面的表现。
▋《一种LED显示面板的补偿对位键合方法》是保护一种Micro LED键合的方法，通过补偿基板热膨胀偏移，解决了基板热膨胀系数差异导致的共晶微结构偏移问题，提升了显示质量。
▋《一种显示面板及其制造方法》涉及一种显示面板的结构及制造方法，具有LED芯片与焊盘结合紧密、方便LED芯片更换、避免芯片插拔对基板焊盘的损伤、简单环保的优点。
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Mini LED背光
领域
《发光器件的制造方法、发光器件及显示装置》通过在发光器件的出光侧形成玻璃微珠的第一胶结构，解决了发光器件发光角度小的问题，提升了显示装置的显示亮度和均匀度，并降低了成本。
智能感测
领域
在智能感测领域领域获得2项国家发明专利授权，分别为：
▋《LED器件固晶方法及LED器件》是保护一种LED器件的固晶方法，解决了LED器件银浆层固晶稳定性不佳和爬浆高度过高的问题，实现了LED芯片的稳定固晶效果。
▋《发光器件及其制备方法》创新性地设置底胶层的结构，从而避免基板焊盘的表面与基板自身的表面对LED芯片发出的光线造成影响。
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深紫外LED
领域
《一种深紫外LED封装结构及其封装方法》通过在深紫外LED封装结构中使用金属框架和挡墙结构的组合设计，显著提升了封装效率，有效解决了点胶效率低和对位难的问题。
知识产权是企业发展的战略资源，是体现企业科技储备实力、形成企业竞争优势的重要因素。近年来，国星光电深入践行广晟控股集团FAITH经营理念，坚持创新制胜，持续加强高价值专利布局，成果显著。截至目前，国星光电累计申请专利超1100项，其中发明专利超600项，占比超50%；授权专利超800项。
基于在知识产权创造、运用与管理方面的卓越表现，国星光电先后获评“国家知识产权优势企业”“国家知识产权示范企业”，荣获“中国专利金奖”，科技创新综合实力获得国家级认可。
▲国星光电荣获多项知识产权领域荣誉
下一步，国星光电将继续深入践行FAITH经营理念，加快推进高水平科技自立自强，强化关键核心技术攻关，巩固知识产权优势，提高核心竞争力，助力LED国产替代加速突围。
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